SJ 50033.63-1995 半导体分立器件.3CD020型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
3C8D4CDB9EC94FF794FCB8C1ADAD1C03 |
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文件大小(MB)： |
0.44 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/63-1995,半导体分立器件,3CD020型低频大点1率晶体管,详细规范,semiconductor discrete device,Detail specification for type 3CD020,Low — frequency and high — power transistor,1995-05-25 发布 !995-12^01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3CD020型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor disrete device,Detail cpecification for type 3CD020,LoW-frequency and high- power transistor,SJ 50033/63-1995,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3CD020B~F型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超普,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 .］引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镇层,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部1995.的ー25发布1995 12-0I 实施,SJ 50033/63-1995,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的B2-O1B型及如下的规定。见图晨,清B2-01B,min nom max,A 9.8,1，52,期2 0.9 1A,也15.0,d 30,F 3,0,L 8.5 10,5,レE5,招4,0 4.2,q 22.8 23.2,Ri 9.5,电4,3,5 13,1*,5 3L4,5 19.0,1 一基板,2■ー发射极,集电板接外壳,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,注」）冗＞25匸时按!33mW/1C的速率线性地降额,型号,%”,兀=25ヒ,(W),炉GBO,(V),^CEO,(V),Vebo,(V),Ic,(A) (V) ヤ）,3CD020B,20,100 100,4 2 175 - 55-175,3CD02.0C 150 150,3CD020D 200 200,3802UE 250 250,3CD020F 300 300,2,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/63-1995,3.3.2 主要电特性（丁& = 25匕）,、极,\限,型、值,号、,Fi,3 5V,い LOA；,炉v CE?t1),= 1.0A,5Q.5A,(V),%=0.2A,『OJA,(V),/t,35V,/c = 0.1A,产 1MHz,(MH?),ー 0,Vce=10V,Ic = 0.5A,25C
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